标签：ReRAM
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中芯国际40nm工艺的ReRAM存储芯片出样:读取速度比NAND快1000倍”
近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片,据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍...
近日，两者合作的结晶终于诞生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片,据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍...
