DDR4和DDR3内存有什么不同？带你看内存升级的变化

  DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了9个年头， DDR4内存标准规范在2012年9月底正式公布，在2014年Intel的Haswell-E处理器及X99平台，率先为桌面平台带来了原生DDR4内存支持，2015年的Intel Skylake平台主要支持DDR4，DDR4的普及已成趋势。

skylake平台

  DDR4和DDR3内存有什么不同？如今DDR4开始大肆进入我们的视野，相比于DDR3， DDR4在外观、性能、功耗几个部分有明显的变化。

  1、DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，防呆口更为靠近中央。

  2、DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz。

  3、DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。

  4、DDR4内存容量提升明显，可达128GB。

外观变化：

  一直一来，内存的金手指都是直线型的，而DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，确保信号传输稳定，同时中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存，也可以解决DDR3内存难以拔出和难以插入的情况。

  另外，金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

频率和带宽提升巨大

  DDR4最重要的变化当然是提高频率和带宽。在DDR3时代传输速度最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速度从2133MHz起，并且可以达到4266MHz。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

更低功耗更低电压

  DDR4内存采用了温度补偿自刷新（主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、数据总线倒置（用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。目前DDR4使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。

容量剧增最高可达128GB

  3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到DDR3产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

  DDR4相比DDR3提升了频率和带宽等一系列硬件参数，在提升性能的同时降低了能耗，为移动设备提供了更好的支持，在intel新的平台的支持和推动下，DDR4的应用场景也变得更加广阔。如今阻止DDR4普及的也就只剩下价格方面了，但随着时间的推移DDR4迟早也会像DDR3一样来到各位用户的身边。