一台电脑，配置为：Ｐ４赛扬１．８ＧＨｚ、２５６ＭＢ ＤＤＲ２６６内存、ｉ８４５ＧＬ主板、４０ＧＢ硬盘。原来比较稳定，不久前把Ｐ４赛扬１．８ＧＨｚ?１００ＭＨｚ×１８?超到２．４ＧＨｚ?１３３ＭＨｚ×１８?，结果死机了，只好清空ＢＩＯＳ设置，再启动进入ＢＩＯＳ的“Ｓｔａｎｄａｒｄ ＣＭＯＳ Ｆｅａｔｕｒｅ”选项，把“Ｄｒｉｖｅ Ａ”设置为“Ｎｏｎｅ”，保存后开机成功，可以进入Ｗｉｎｄｏｗｓ了。
在玩一个３Ｄ游戏时，出现了花屏现象，但是超频前玩这款游戏时却没有出现花屏哦。超频前正常，而超频后只进行过清空ＢＩＯＳ的操作，难道与清空ＢＩＯＳ设置有关？仔细检查集成显卡的设置选项，都没有问题哦。
在检查内存参数设置时，发现“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”被默认设置为３，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为为３，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”被默认设置为３。终于明白了原因，原来在清空ＢＩＯＳ设置后，系统所默认设置的内存参数较低，而集成显卡在运行时要调用系统内存，特别是在运行大型３Ｄ游戏时，对内存要求较高。于是把“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”设置为２，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”设置为２，“ＤＲＡＭＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”设置为２，保存后进入Ｗｉｎｄｏｗｓ，运行刚才的３Ｄ游戏，果然没有出现花屏了。
在玩一个３Ｄ游戏时，出现了花屏现象，但是超频前玩这款游戏时却没有出现花屏哦。超频前正常，而超频后只进行过清空ＢＩＯＳ的操作，难道与清空ＢＩＯＳ设置有关？仔细检查集成显卡的设置选项，都没有问题哦。
在检查内存参数设置时，发现“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”被默认设置为３，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为为３，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”被默认设置为３。终于明白了原因，原来在清空ＢＩＯＳ设置后，系统所默认设置的内存参数较低，而集成显卡在运行时要调用系统内存，特别是在运行大型３Ｄ游戏时，对内存要求较高。于是把“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”设置为２，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”设置为２，“ＤＲＡＭＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”设置为２，保存后进入Ｗｉｎｄｏｗｓ，运行刚才的３Ｄ游戏，果然没有出现花屏了。
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