三星正计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片

　　日前有报道称，三星电子事实上的领导者李在镕本周四参观了三星位于京畿道华城的半导体研发中心，这也是李在镕在2020年首次正式进行现场管理！另外，李在镕还谈及了三星将利用全球首个3纳米工艺技术制造芯片的战略。

　　据悉，该计划旨在使用正在开发中的最新3纳米全栅极（gate-all-around，简称GAA）工艺技术，使全球客户订购的尖端芯片商业化。

　　GAA被称为当前FinFET技术的升级版，该技术能够使芯片制造商将微芯片的制造工艺进一步提升。

　　三星2019年4月完成了基于极端紫外线技术的5纳米FinFET工艺技术的开发，该公司正在研究下一代纳米工艺技术。

　　按照三星官方的说法，与5纳米制程相比，3纳米GAA技术在逻辑区域效率方面提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。而三星发言人则表示，“李在镕对半导体研发中心的访问，再次凸显了三星承诺成长为非内存领域顶级芯片制造商的承诺！”此外，三星在2019年还宣布了一项1118.5亿美元的投资计划，其目标则是到2030年成为全球最大的芯片系统制造商。