慧荣宣布支持长江存储Xtacking闪存：128层QLC+PCIe 4.0不是梦

长江存储旗下日前推出了自有品牌致钛科技的SSD硬盘，SATA及M.2接口涵盖市场上的主流，这也意味着长江存储的闪存市场布局再进一步。

长江存储主要研发、生产闪存，离不开跟主控厂商的合作，在这方面长江存储已经得到了群联、慧荣、联芸、忆芯等国内外厂商的支持。

今天慧荣科技与长江存储联合宣布，旗下的闪存主控已经全面支持长江存储的Xtacking 3D NAND闪存，包括今年4月份才宣布的128层QLC闪存在内。

慧荣科技全系列主控芯片支持长江存储Xtacking 3D NAND，产品包括：

应用于企业级/数据中心及个人电脑的SSD主控芯片

·SATA 6Gb/s SSD主控芯片

·PCIe Gen4 x4 NVMe 1.4 SSD主控芯片

·PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3 SSD主控芯片

·USB 3.1 / USB 2.0主控芯片

应用于移动设备的eMMC/UFS主控芯片

·高速随机读写效能的单信道eMMC 5.1主控芯片

·UFS 3.1主控芯片应用于嵌入式UFS，uMCP及UFS卡

Xtacking闪存是长江存储自己研发的3D闪存架构，从2014年开始启动研发，最终在2018年研发成功。

与传统闪存相比，Xtacking可在两片独立的晶圆上分开加工负责I/O传输及记忆单元的电路，并通过成熟的Xtacking工艺进行晶圆键合，合二为一。

这种架构可以带来更先进的制造工艺，降低制造工序的复杂度,从而以让NAND获取更高的I/O传输速度，更高的密度，及更小的芯片面积。

在目前使用的第一代Xtacking架构中，IO速度可达800Mbps，是业界水平的2倍，存储密度是业界水平的5倍。

去我那5月份，长江存储宣布推出Xtacking 2.0技术，将Xtacking闪存的性能再次推向巅峰，与业界1.0-1.4Gbps的IO接口速度相比，Xtacking 2.0有望将NAND IO速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。