兆易创新公布自研内存进展：首发4Gb DDR3、明年上半年问世

2019年国内的合肥长鑫推出了国产DDR4内存，结束了国内没有DRAM芯片自产的日子，此后也有其他公司准备进军内存市场，比如兆易创新。该公司日前透露了其内存计划，2021年上半年将推出4Gb DDR3内存。

兆易创新在电话会议中透露，自研DRAM现在还在按照原计划进行，目前研发进度跟预期基本一样，预期明年上半年会有产品出来。

兆易创新表示，自研第一个产品会是DDR3, 4Gb，面向利基市场。

2021年还在研发DDR3内存？别急，虽然明年DDR3内存已经不是什么新东西了，DDR5都要上市了，但DDR3还不会被淘汰，而且兆易创新主要是用于利基市场，也就是消费电子产品，对内存的性能、容量等要求不高。

考虑到兆易创新的主力产品，比如NOR闪存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消费电子等市场的，其首款内存主打这一市场也不让人意外。

即便是DDR3内存，对任何没有内存研发、设计经验的公司来说，技术门槛还是很高的，兆易创新选择看似落后但比较稳妥的研发路线也没什么可说的。

去年底，兆易创新宣布募资33.2亿元研发内存，这点钱并不算多，所以研发DDR3内存情有可原。

他们还公布了内存研发的路线图，如下所示：

·2020年，兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

·2020年，兆易创新将定义首款芯片的生产职称，并将经过验证后的设计开展流片试样，反复修改直至通过系统验证。

·2021年，对首款芯片试样进行封装测试，并送交系统芯片商进行功能认证，并最终通过客户验证。

·2021年，首款芯片通过验证之后进行小批量生产，测试成功后进行大批量生产。

·2022-2025年，进行新系列芯片研发及量产。