业界最早讨论GDDR6显存可以追溯到2012年，当时的说法是2014年就将启动标准制定，但GDDR5之后A/N两家先后用上了HBM和GDDR5X，也不见GDDR6的踪影。
据外媒报道，继三星之后，美光也谈及了自己未来的存储规划，其中就涉及GDDR6显存。
美光计划今年底将GDDR5的制程工艺从20nm推进到1Xnm，预计是16nm。同时，他们表示G5X显存的需求将迎来增长，考虑到市面仅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用，不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500显卡将会采用。
至于GDDR6，定于今年底或者明年初正式发布。
规格方面美光没有更多资料分享，但此前三星简单介绍过，GDDR6显存的单根引脚带宽最高可达16Gbps，是GDDR5的2倍，也高于G5X理论峰值12Gbps。
工作电压1.35V，和G5X一致，比G5低。
我们以一张256bit的显卡来看，总带宽最高可达512GB/s，完全媲美HBM一代显存了，甚至看齐AMD的缩水二代。
我们知道，美光走的是和HBM阵营完全不同的HMC，只是进度不佳，但靠着GDDR容量、价格上的优势和改良款式，仍在中高端尽力搏杀。
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